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ES 사업

녹색 에너지 성장 동력원 LED 소재산업

웨이퍼

  • LED 제조 공정

    LED의 제조는 크게 사파이어 단결정 (Ingot)의 제조, 기판 (Substrate) 가공, 에피웨이퍼(Epi Wafer) 제조, 칩(Chip) 제조, 패키지(Pacakage)제조, 모듈 조립으로 분류할 수 있습니다. 당사에서는 LED 제품의 Up stream인 사파이어 단결정(Ingot)과 기판 (Substrate)를 제조하여 국내외 고객사에게 공급하고 있으며 전자사업부에서는 LED 칩을 구매하여 조명 완제품을 제조하고 있습니다.

  • Sapphire Wafer란?

    Sapphire Wafer는 사파이어 단결정을 직경별로 절단∙연마하여 LED용 GaN Epi공정에 적합하도록 만들어진 기판으로서 가공 수준에 따라 LED칩의 광효율에 영향을 미치는 핵심 소재입니다.

  • 용도

    TV 및 각종 모바일 기기의 BLU, 조명, 전광판, 신호등, 자동차 조명용 등에 사용되는 LED칩에 적용되고 있으며 최근에는 물리적 특성 (모스 경도 9)을 이용하여 스마트폰의 카메라창 및 전면창에 적용하고 있습니다.

  • 제품 Specification
    제품 Specification
    Parameters Unit 2"(50.8mm) 4"(100.0mm) 6"(150.0mm) Customized
    1 Surface Orientation - C-Plane (0001) off-set
      1.1 Off angle toword M-Axis . 0.20 ± 0.003 0.20 ± 0.003 0.20 ± 0.003 TBD
      1.2 Off angle toword A-Axis . 0.0 ± 0.1 0.0 ± 0.1 0.0 ± 0.1 TBD
    2 Diameter A mm 50.8 ± 0.05 100.00 ± 0.1 150.00 ± 0.2 TBD
    3 Thickness B mm 430 ± 10 650 ± 10 1300 ± 20 TBD
    4 Orientation Flat - A-Plane (11-20) TBD
      4.1 Flat Off-set Angle . 0.0 ± 0.2 0.0 ± 0.2 0.0 ± 0.3 TBD
      4.2 Flat Length C mm 16.0 ± 1.0 31.0 ± 1.0 50.0 ± 1.0 TBD
    5 Front Surface Finish (Ra) nm ≤ 0.2 ≤ 0.2 ≤ 0.2 TBD
    6 Back Surface Finish (Ra) ㎛ 0.7 ~ 1.1 0.7 ~ 1.1 0.7 ~ 1.1 TBD
    7 LTV ㎛ ≤ 2 ≤ 3 ≤ 2 TBD
    8 TTV ㎛ ≤ 5 ≤ 7 ≤ 5 TBD
    9 Bow/Warp ㎛ -10 ~ 0 -10 ~ 0 -10 ~ 0 TBD

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